UHV-ALD

一、设备简介

二、设备型号和关键性能参数

设备型号：SVT UHV-PEALD-P-100

关键性能参数：

6路独立前驱体源管线入口，其中两路前驱体可加热，一路可冷却（-10℃-RT）

4路等离子体源(N2, H2, O2, Ar)载气可切换N2，Ar

反应腔最高沉积温度500℃

原位监测手段：RGA，OES

载台独立射频偏压

可处理的样品尺寸：≤2英寸

三、设备特色

超高真空互联：反应腔本底真空可达E-9Torr；传送腔真空优于E-9Torr 反应的进行

原位监测：OES，监测等离子的产生；RGA，监测化学  

原子层刻蚀模式：载台独立射频偏压  

四、设备原理 
原子层沉积是将气相前驱体脉冲交替地通入反应室，并在沉积基体上发生表面化学吸附反应，从而逐层形成薄膜。前驱体在表面的化学吸附具有自限制性，因而可通过反应的循环次数来控制薄膜的厚度。原子层刻蚀是首先对表面层进行改性，第二步对其进行去除。利用改性步骤的自限制性，达到逐层去除的目标。

五、应用领域
介电材料、II-VI&III-V半导体、二维材料、锂离子电池、催化、光学等领域。