科学研究

自研MBE-STM

 

设备简介 

Self-design

二、设备型号、关键性能参数

设备型号:自研MBE-STM

关键性能参数:

MBE:

1.UHV: 10-11torr

2.蒸发源: 7个

3.五维变温操纵台: 40K to 1300 ℃

4.离子枪

5.Flux monitor

6.STM针尖加热处理

STM:

1.UHV: 10-11torr

2.样品架类型:Omicron型平板样品架

3.温度范围:室温

4.XY方向扫描范围:2um

5.Z方向扫描范围:500nm

6.XY方向粗动范围:±1mm

7.Z方向粗动范围:5mm

8.配有安捷伦150L离子泵

9.配有UHV存样台

 

三、设备原理

STM(扫描隧道显微镜),通过高精度陶瓷管实现扫描探针在原子尺度上可控运动,测量扫描探针和样品表面隧穿电流,实现材料表面原子结构、电子结构的观测。STM与分子束外延腔体(MBE)结合,可分析薄膜和单晶块材表面结构信息。

 

四、应用范围

材料表面形貌分析

低维材料原位MBE生长

 

五、设备特色

原位样品处理(加热、氩离子轰击)

原位薄膜样品生长(配备分子束外延腔)

原位针尖处理(电子束轰击)

样品通常需要具备一定的导电性

 

六、应用领域

低温超导、拓扑绝缘体、化合物半导体、半导体、催化、分子电子学等