ULT-STM

一、设备简介

                 低温扫描隧道显微镜（ULT-STM)        

二、设备型号、关键性能参数

设备型号：USM1300 LT-STM Vector Magnet (9-2-2T)

关键性能参数：

工作压力： 超高真空（优于2×10^-8Pa）

能量分辨率：< 0.3 meV

样品台温度:0.8 K-RT

磁场：矢量磁场（2T, 2T, 9T)

三、设备原理

STM(扫描隧道显微镜)，通过高精度陶瓷管实现扫描探针在原子尺度上可控运动，测量扫描探针和样品表面隧穿电流，实现材料表面原子结构、电子结构的观测。超低温STM因其大大提高的稳定性，可实现高质量的原子分辨形貌图像以及高能量分辨扫描隧道谱的获取。与分子束外延腔体（MBE）和低温解离台（Cleavage stage）结合，可分析薄膜和单晶块材表面结构信息。

四、应用范围

高质量的原子分辨形貌图像；

高能量分辨隧穿谱；

高稳定性变温谱；

非弹性散射隧穿谱；

准粒子散射相干技术（quasiparticle interference，简称QPI）

五、设备特色

大扫描范围和高的分辨率（XYZ分辨4.2K下小于0.01 nm）

低漂移（XY方向上80K温度下小于0.5nm/小时; 400mK温度下小于0.25nm/小时）

低噪声（小于<2pm√Hz）

超低温环境（0.8 K，可扩展至0.4 K）；高能量分辨率（0.3 meV）

高矢量磁场（XYZ：2T-2T-9T）

低温解离台（液He：30 K以下；液氮：100 K以下）

原位样品处理（加热、氩离子轰击）

原位薄膜样品生长（配备分子束外延腔）

原位针尖处理（电子束轰击）

样品通常需要具备一定的导电性

六、应用领域

超导、拓扑绝缘体、化合物半导体、半导体、催化、分子电子学等