Q-MBE
| 一、设备简介
二、设备型号和关键性能参数 型号：Q-MBE（MBE-35-N-EBS）； 功能：金属及氮化物超导材料制备； 背景压力：超高真空（~7e-11 torr）； 样品尺寸: 2英寸，兼容旗型样品托； 衬底加热温度：生长腔最高1000℃，预处理腔最高1300℃； 配备氮等离子源、氧等离子源； 配备冷嘴Al材料蒸发源；
三、设备特色 超导材料分子束外延设备（Q-MBE）在超高真空环境利用热蒸发原理沉积金属薄膜，实现高质量金属薄膜的成分可控、膜厚可控生长，在金属超导量子材料、氮化物超导量子材料、拓扑量子材料、半导体材料等原子级尺度制备及器件制作方向具有广泛应用前景。 30 KeV反射式高能电子衍射仪，能实时检测薄膜的生长； 预处理腔配备氧等离子体源和高温处理台（1300℃），可除去化学清洗后衬底表面污染； 外延生长过程中实时监控设备多，包括RHEED、QCM、RGA、红外测温、原子吸收谱等； 生长腔样品台可控制倾斜角度，可用于探索图形化器件的薄膜制备； 与原子级尺度形貌表征设备AFM/STM组成联合系统，可从原子级尺度研究薄膜生长动力学行为特征；
四、设备应用范围
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