PLD

一、设备简介

二、设备型号、关键性能参数

设备型号：LMBE450

关键性能参数：

真空极限： 超高真空（优于2×10^-8Pa，经烘烤除气后）

样品台加热温度:RT-800℃

样品尺寸：最大2英寸

激光波长：248nm

激光最大脉冲能量：700mJ

激光脉冲频率范围：1~10Hz

三、设备原理

激光分子束外延系统(LMBE)是在传统的分子束外延(MBE)和脉冲激光沉积系统(PLD)的基础上发展而来的，PLD与提供原位检测的反射式高能电子衍射仪(RHEED)相结合，使得系统能够实现类似于MBE单原子层精度的薄膜生长。相比于MBE的热蒸发，LMBE是一个复杂的过程，脉冲激光束射向靶材，引发的物流过程如下：(1)靶材的急剧升温和蒸发；(2)靶材粒子蒸汽继续与激光发生作用，生成等离子体；(3)吸收激光能量使等离子体加热加速，产生束流向衬底运动，在衬底上形成非晶、多晶或单晶薄膜。

四、应用范围

沉积高质量薄膜

五、设备特色

超高真空（优于2×10^-8Pa，经烘烤除气后）

样品原位处理（加热、氩离子轰击）

样品原位退火（沉积薄膜后退火）

差分式高能电子衍射仪（实时原位精确地控制原子层或原胞层尺度的外延膜生长，检测样品的表面结构）

进样室配有样品库（装载6片样品或靶材）

六、应用领域

氧化物、超导、光学、金属、半导体、铁磁、铁电、有机高分子等。