Plasma
| 一、设备简介
二、设备型号、关键性能参数 离子源功率：≤500 W 设备真空度：背底10-8 Torr； 反应气体：N2；H2；Ar 样品加热温度：不超过800℃ 工作距离：180~230 mm 样品台转速：0-30 RPM 关键尺寸：入射角与表面法线25° 可应用的样品尺寸：2英寸
三、设备原理 高频电流流经感应线圈产生高频电磁场，工作气体从而被电离成为等离子体。等离子体在电场和磁场的作用下加速运动轰击样品表面，在样品表面产生一些挥发性气体的同时对表面具有刻蚀作用。因此可以利用设备对样品表面进行等离子体清洗，从而避免湿法清洗液体带来的介质污染。用户可通过调节射频源的功率调整等离子体的运动速度，样品放置的工作距离等，达到期望的清洗效果。
四、应用范围
五、设备特色 |
