| 一、设备简介  二、设备型号，关键性能参数 设备型号：SPECS PEEM P90 关键性能参数： 工作压力： 2×10-10 - 1×10-4 mbar 加热温度：298 - 1800 K 空间分辨率：PEEM 10 nm, LEEM 5 nm 时间分辨率：ms 能量分辨率：< 180 eV 三、设备原理
光发射电子显微镜(Photoemission Electron Microscopy, PEEM)是利用光电效应原理，以紫外光或X射线光来激发固体表面原子中的电子，采用先进的电子光学系统对表面光电子进行聚焦、放大，实现固体表面成像研究的新技术。PEEM的成像过程与透射电子显微镜（TEM）技术相似，利用了平行电子束成像而无需表面扫描过程，可以实现快速成像。另一方面，PEEM与X-射线光电子能谱(XPS)和紫外光电子能谱（UPS）等技术均利用了表面光电效应原理，其成像与表面电子结构和表面化学等性质密切相关。因此PEEM研究不仅获得固体表面结构和形貌的信息，同时也反映了固体表面化学性质的变化。低能电子显微镜(Low Energy Electron Microscopy, LEEM)，与PEEM共用一条成像系统，只是激发源采用的是低能电子，当低能电子与样品表面接触时，在样品表面会发生弹性背散射和非弹性背散射，LEEM主要利用弹性背散射电子来进行成像，由于入射电子能量低，不仅探测深度非常浅(通常只有几个原子层到十几个原子层厚)，具有超高的表面敏感度，而且对于表面电子结构和几何结构的变化也非常敏感，可以直接获得微区结构和形貌变化的信息。PEEM/LEEM系统是一种实时、动态、对表面结构和表面化学进行原位研究的技术。
四、应用范围 固体表面原位动态成像 固体表面功函数、几何结构、电子结构变化的原位分析 五、设备特色 LEEM电子源采用场发射电子枪，与传统的LaB6灯丝电子枪相比，电子束更聚焦，图像衬度更清晰 LEEM模式中的还包含选区低能电子衍射(μ-LEED)功能，最小可选择直径为185 nm的区域 实现高温原位成像，最高温度可达1800K 六、应用领域
催化、能源、纳米科学、生物、微电子、材料等领域 | 
