PECVD

一、设备简介 

二、设备型号和关键性能参数

设备型号：UHV-PECVD-001

关键性能参数：

真空：传送腔极限真空可达到2.46x10-10 Torr，

制程腔极限真空可达到5.10x10-9 Torr

温度范围：室温~450℃

RF功率、频率：0~1000W、13.56MHz

反应气体：N2、Ar、O2、CF4、N2O、SiH4(10%SiH4+90%Ar)、NH3.

样品尺寸：2寸

三、应用范围

沉积SiNx和SiO2薄膜。 

四、设备特色

传送腔真空达10-10 Torr，可完成与真空管道的互联，保证样品工艺全程在真空环境中进行。设备与椭偏仪共用互联管道，可实现在样品工艺结束后立刻对其生长膜质量进行检测。

五、应用领域