GaAs-MOCVD

一、设备简介 

设备名称：金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备

二、设备型号和关键性能参数：
设备型号：AIXTRON 200/4  3x2² 或 1x4² 晶片
关键性能参数：

工作压力：50-1000 mbar

工作温度：0-750 ℃

生长速率：0.01-1 nm/s

三、设备原理
金属有机物化学气相沉积（MOCVD），也称为金属有机物气相外延（MOVPE），是一种利用金属有机化合物和非金属氢化物通过裂解合成等化学反应外延生长化合物半导体的气相外延生长技术。通过调节反应室内气体的流量、温度、压力等参数，可以实现对外延生长的精确控制。常用于生长各种Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

四、应用范围

（1）生长Ⅲ-As/P化合物半导体及其多元固溶体单晶薄膜或结构，包括GaAs衬底上生长的GaAs，AlGaAs，AlGaInAs和AlGaInP，InP衬底上生长的InP，InGaAs，AlGaInAs，和InGaAsP；

（2） 生长异质结、超晶格和量子阱等结构；

（3） 生长发光二极管（LED）、边发射和垂直腔（VCSEL）面发射激光器、太阳电池、光电探测器等光电器件；

（4） 生长高电子迁移率晶体管（HEMT）、异质结双极晶体管等功率器件；

五、设备特色

水平式石英反应管，红外加热系统

研发型机台，适合于小量材料及器件结构生长

行星式衬底旋转系统，具有良好的片内和片间均匀性

在GaAs和InP衬底上制备相关材料。

六、应用领域
III-As/P化合物半导体材料及器件。