GaN-MOCVD

一、设备简介

设备名称：金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备

二、设备型号和关键性能参数

设备型号：AIXTRON Close Coupled Showerhead 6x2 inch

关键性能参数：

工作压力：0-1300mbar

工作温度：0-1300℃

生长速率：0.01-1 nm/s

三、设备原理

金属有机物化学气相沉积（MOCVD），也称为金属有机物气相外延（MOVPE），是一种利用金属有机化合物和非金属氢化物通过裂解合成等化学反应外延生长化合物半导体的气相外延生长技术。通过调节反应室内气体的流量、温度、压力等参数，可以实现对外延生长的精确控制。常用于生长各种Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

四、应用范围

生长高质量的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的单晶薄膜；

生长超晶格、量子阱、量子点等特殊结构；

生长发光二极管（LED）、激光器（LD）、太阳能电池、光电探测器等光电器件；

生长高电子迁移率晶体管（HEMT）、异质结双极晶体管等功率器件；

五、设备特色

高生长速率、高掺杂均匀性和重复性；

高的产能，成本相对较低；

高灵活性——同一机台可以用来生长不同的材料；

异质界面陡峭，适合生长超晶格和量子阱结构等。

六、应用领域

半导体、化合物半导体、无机非金属材料等领域。