自研MBE-STM

一、设备简介

二、设备型号、关键性能参数

型号：自研MBE-STM

关键性能参数：

MBE：

1.UHV: 10-11tor

2.蒸发源: 7个

3.五维变温操纵台: 40K to 1300 ℃

4.离子枪

5.Flux monitor

6.STM针尖加热处理 

STM：

1.UHV: 10-11torr

2.样品架类型：Omicron型平板样品架

3.温度范围：室温

4.XY方向扫描范围：2um

5.Z方向扫描范围：500nm

6.XY方向粗动范围：±1mm

7.Z方向粗动范围：5mm

8.配有安捷伦150L离子泵

9.配有UHV存样台 

三、设备原理

STM(扫描隧道显微镜)，通过高精度陶瓷管实现扫描探针在原子尺度上可控运动，测量扫描探针和样品表面隧穿电流，实现材料表面原子结构、电子结构的观测。STM与分子束外延腔体（MBE）结合，可分析薄膜和单晶块材表面结构信息。

四、应用范围

材料表面形貌分析
低维材料原位MBE生长

五、设备特色

原位样品处理（加热、氩离子轰击）

原位薄膜样品生长（配备分子束外延腔）

原位针尖处理（电子束轰击）

样品通常需要具备一定的导电性

 六、应用领域

 低温超导、拓扑绝缘体、化合物半导体、半导体、催化、分子电子学等