LEED

 一、设备简介

二、设备型号、关键性能参数

型号: Advanced 4-grid LEED/Auger

关键参数：

电子能量：5~750 eV (LEED)  5~3000 eV (AES

电子枪束斑直径：250 μm~1 mm

电子束电流：2~100 μA

工作距离：15 mm

真空度：10-8 Torr

三、设备原理：

低能电子的波长与晶体的晶格常数相接近，与晶体相互作用时发生衍射现象。由于低能电子穿透深度浅，得到的是关于晶体表面结构，表面原子排列的信息。利用电压阻挡型能量分析器分别提取弹性散射和非弹性散射得衍射波，LEED利用的是弹性散射信息，AES利用的是非弹性散射信息。相对于SEM和AFM对样品表面真实形貌的测量，LEED衍射图案反应的是晶体倒格子空间，需要换算处理后才得到实际晶格的数据，然而却可以获得以上两种测试方法不能获得的晶体二维结构数据。因此对于确定晶格数据，有关原子的排布有着重要的应用。AES利用经历频繁的非弹性散射后能逸出固体表面的俄歇电子获得俄歇元素像，广泛用于各种材料分析以及催化、吸附、腐蚀、方面的研究。

四、应用范围：

需要研究晶体表面二维点阵结构与表层原子相对于衬底的排布的样品

表面化学组成判断，轻元素分析，元素化学价态分析

五、设备特色：

LEED-AES与超高真空Plasma表面清洗设备联用，快速有效进行样品表面处理并获得表面信息。