III-V MBE
| 一、设备简介 |
| GEN20A型双腔分子束外延生长系统 |
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二、设备型号、关键性能参数 设备型号：VEECO GEN20A 关键性能参数： 背景压力：超高真空（~1×10-10Torr） 外延控制精度：1原子层 外延数量:3片2"或1片4" 源炉：常规Ⅲ-Ⅴ族半导体所有元素以及掺杂源
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| 三、设备原理 MBE（分子束外延）是一种物理沉积单晶薄膜的方法。在超高真空条件下，分子束源炉与衬底相对放置，源材料通过高温蒸发、电子束加热蒸发等方法，产生分子束流，喷射到衬底表面，经表面吸附、迁移、成核，最终生长成膜。各炉源前的挡板用来改变外延层的组分和掺杂，根据设定的程序开关挡板、改变炉温和控制生长时间，就可以生长出不同厚度、不同组分、不同掺杂浓度的外延材料。
四、应用范围 多层外延生长，如缓冲层和梯度带隙生长 p-n同质结或异质结制备 超薄薄膜制备，如量子阱、超晶格 光波导制备
五、设备特色 可外延生长多种Ⅲ-Ⅴ族半导体（InP、GaAs、GaN基等） 低背景压力 C、O等杂质少（分压小于1E-11 Torr） 外延可控精度高（1原子层） 实时监控设备多（RHEED、PRYO、BANDIT等） 双腔室，可同时进行外延生长 自动传片系统（操作简单）
六、应用领域 nP、GaAs、GaN基半导体，量子阱，超晶格，低温外延等 |
