ICP
| 一、设备简介
二、设备型号、关键性能参数 设备型号： 真空：过渡腔可达到8*10-10 torr，反应腔可达到5*10-9 torr； 上电极功率：0-1000W； 下电极功率：0-600W； 流量：0-100 sccm； 控压：5-50mtor； 反应气体：Cl2，BCl3， CF4，Ar，O2，N2； 样品尺寸：2寸
三、设备原理 ICP设备由冷却系统，气路系统，真空系统，等离子体系统四大部分组成。等离子系统包括两个独立的RF电源，一套连接缠绕在腔室外的螺线圈，使线圈产生感应耦合的电场，在电场作用下，刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体，即多种活性基团，参与化学刻蚀。第二套射频电源连接在载台上，产生偏压，完成等离子对样品的轰击。刻蚀过程中化学刻蚀和物理刻蚀同时存在，并可通过调节两个电源功率大小达到对化学作用和物理作用的控制，因而具备刻蚀速率快，选择比高、均匀性好、刻蚀损伤小等特点被广泛使用。
四、应用范围 利用含Cl气体，可以刻蚀Al、GaAs、GaN等多种金属和化合物半导体薄膜材料。利用含F气体，可以刻蚀Si、Poly-Si、SiNx、SiO2、W、WSi、Mo、MoSi、Ta、TaSi、石英等。
五、设备特色 设备过渡腔真空可达到10-10 Torr，与真空互联管道真空度接近，真空互联完成后，可保证样品加工全程在真空环境下进行。设备操作软件人机交互性好，操作简便，工艺控制精度高、刻蚀均匀性好。
六、应用领域 Si基半导体器件，III-V半导体器件，金属结构的微米/纳米加工
|
