设备名称:离子束刻蚀机
型号：LKJ-3D-150
设备原理：
把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向样品表面撞击样品表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理过程。：
技术指标：
装片尺寸： 6英寸、4英寸、2英寸，向下兼容；
本底真空：5E-4Pa， 工作真空：2E-2Pa
水冷样品台温度：18.5℃。
离子能量：≤350eV
刻蚀效率：300ev下，Si刻蚀速率122.75A/min.
单片2英寸片刻蚀均匀性2%左右。
