Cat-MBE
| 一、设备简介 | |||||||||||||||
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二、设备型号、关键性能参数 设备型号：SPECS MBE 关键性能参数： 背景压力：超高真空（2×10-10 mbar） 衬底温度：110 K-1100 K 外延控制精度：单原子层至多原子层 蒸发源种类：
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| 三、设备原理 在超高真空条件下，样品衬底与蒸发源相对放置，通过电阻丝直接加热坩埚，或者电子束轰击生长源/坩埚的方式，使得生长源温度升高，在真空腔体内其饱和蒸气压升高，进而产生分子束流，在衬底表面经过吸附，迁移，扩散等过程，最终在样品表面沉膜、氧化物介电薄膜。
四、应用范围 常规金属 氧化物薄膜 二维材料 五、设备特色 SPECS MBE含有多种生长源 电子束蒸发源，适用于较难蒸发的低蒸气压材料 衬底温度：110 K-1100 K 配有TPD（程序升温脱附）系统
六、应用领域 氧化物薄膜、催化、材料 |
