AES

一、设备简介

扫描俄歇纳米探针（AES）

二、设备型号和关键性能参数

型号：PHI710

关键性能参数：

电子能量侦测范围：30~3000eV；

电子接收角度：42°±6°；

能量分辨率：0.5% 至 0.1%连续可调；

最小束斑直径（SEI暗场分辨率）：< 3 nm @25kV, ＜1nA；

俄歇空间分辨率：<8 nm @ 1 nA, 20 kV；

俄歇元素灵敏度（Cu LMM）（0.5%分析器能量分辨率）：70 kcps @ 1 nA, 10 kV；700 kcps @10 nA, 10 kV；

俄歇元素灵敏度（Cu LMM）（0.1%分析器能量分辨率）：100 kcps @10 nA, 10kV；

俄歇信噪比：> 700:1 @10 nA, 10 kV；

三、应用范围

观察、分析和记录各种样品表面的元素组成、成份含量及微观形貌等。

通过配备离子溅射枪可进行材料纵向深度组成与结构分析。

四、设备特色

能量分析器类型：同轴筒镜式能量分析器（CMA）和电子枪同轴设计，可提供最全面的俄歇分析能力；可提供高灵敏度俄歇分析，包括详细的元素分布，实现360°无阴影遮挡的观测视角，几乎消除了表面形貌缺陷带来的影响；

全自动5轴样品台： X、 Y、 Z方向移动，旋转及倾斜，系统软件控制；

配Ar-氩离子枪（能量范围：0~5kV（连续可调）），可执行样品荷电中和、样品表面清洁和深度剖析功能；

配有隔声罩和隔振器，改善了成像和分析时的稳定性。

配有电子背散射衍射探测器 （EBSD）：可提供晶体结构和晶格取向的信息；可靠近样品表面获得宽固体接收角用于采集衍射图案。取向精度≤0.3°，最高标定速率≥190点/s。

五、应用领域

纳米材料，半导体器件，金属材料，冶金，腐蚀，摩擦，润滑，无机材料，催化，失效分析等。