MBE-原位生长动力学研究设备

关键参数：

高温生长腔

极限真空：优于5×10-11 mbar，包含L-N2冷屏、低温泵、离子泵、TSP、分子泵、干泵

蒸发源炉：4个，高温源×2，中温源×2

Manipulator：垂直安装，支持最大2英寸wafer，温度RT~1000 ℃，可升降旋转，转速0-30 RPM，旋转精度优于0.5°

生长监测：RHEED、RGA、QCM

预处理腔

极限真空：优于1×10-10 mbar

Manipulator：垂直安装，支持最大2英寸wafer，温度RT~1000 ℃，可升降旋转，转速0-30 RPM，旋转精度优于0.5°

离子预处理：Ar+ Sputter氩枪

应用范围

原子级精度的薄膜材料生长、拓扑量子器件原位构筑、低维材料生长、真空互联器件工艺

设备特色

低温水平放置Manipulator可满足最大2英寸wafer、温度50 K~300 K、偏转±45°材料生长；可实现线宽低至50 nm器件级无掩膜图形化功能

应用领域