原位Mask器件级图案化分子束外延设备

低温生长腔

· 极限真空：优于3×10-11 mbar，包含L-N2冷屏、低温泵、离子泵、TSP、分子泵、干泵

· 蒸发源炉：10个，其中电子束蒸发源（6坩埚）×1、裂解源×2、高温源（最高1800 ℃）×2，中温源等共10个源炉接口

· Manipulator：2个，其中1个水平安装，支持最大2英寸wafer，样品温度50 K~300 K连续可调，采用闭循环制冷，样品托可偏转±45°；1个垂直安装，支持最大2英寸wafer，温度RT~1000 ℃，可升降、旋转，转速0-30 RPM，旋转精度优于0.5°

· 生长监测：RHEED、RGA、QCM

 高温生长腔

· 极限真空：优于5×10-11 mbar，包含L-N2冷屏、低温泵、离子泵、TSP、分子泵、干泵

· 蒸发源炉：4个，高温源×2，中温源×2

· Manipulator：垂直安装，支持最大2英寸wafer，温度RT~1000 ℃，可升降旋转，转速0-30 RPM，旋转精度优于0.5°

· 生长监测：RHEED、RGA、QCM

预处理腔

· 极限真空：优于1×10-10 mbar

· Manipulator：垂直安装，支持最大2英寸wafer，温度RT~1000 ℃，可升降旋转，转速0-30 RPM，旋转精度优于0.5°

· 离子预处理：Ar+ Sputter氩枪

 应用范围

原子级精度的薄膜材料生长、拓扑量子器件原位构筑、低维材料生长、真空互联器件工艺

设备特色

· 低温水平放置Manipulator可满足最大2英寸wafer、温度50 K~300 K、偏转±45°材料生长；可实现线宽低至50 nm器件级无掩膜图形化功能

应用领域

器件真空图形化工艺、二维拓扑材料及器件、拓扑量子器件、图形化阵列、量子阱生长等