高温金属有机化合物化学气相沉积设备 HiT3 MOCVD

一、设备简介

二、关键性能参数

温度：最高最高1400℃，精度±1℃，维持2小时无异常

MFC/PC：实际精度0.5%

最大可生长样品尺寸：4英寸

最多可生长样品：19片2英寸

三、生长材料

GaN、AlN、AlGaN等三五族半导体材料

四、设备特色

适用于高温氮化铝和深紫外 LED生长的关键设备可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡

工艺温度最高可达1400度，具有优异的温场均匀性和控制稳定性

具有高稳定性、自动化的真空传送系统，抑制颗粒的产生

可以生长2、4寸外延片，同时能保证薄膜的均匀性、一致性

真空互联大装置无缝对接，支撑对表界面态和杂质等紫外光电子材料质量和器件性能的影响的研究

五、应用领域

用于AIGaN基III族氮化物半导体紫外光电子材料与器件的外延生长研究，包括AIGaN基深紫外 LED与激光器、深紫外日光盲光电探测器等

用于AlGaN/GaN异质结HMET器件的生长研究