一、设备简介
二、关键性能参数
真空：进样室极限真空可达到2E-4Pa
薄膜制备室极限真空可达到2E-5Pa
进样室配备卡夫曼刻蚀离子源，配备刻蚀气体：Ar，刻蚀不均匀性低于±5%
薄膜制备室安装双温区热蒸发束源炉，材料：In，坩埚容量50cc，In沉积速率最快可达5nm/s
设备极限真空：<5×10-8Pa，常驻本底真空<1×10-7Pa
薄膜制备室样品台配置VPC-500型深冷机，可对样品进行冷却
三、应用范围
沉积In金属
四、应用领域
量子计算
可用于超导体，半导体，微电子，纳米材料的制备
新型薄膜太阳能电池和传感器
